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INV030FQ012A是一款30V雙向導通增強型氮化鎵（GaN）功率晶體管，采用緊湊的FCQFN 6mm x 4mm封裝。該產(chǎn)品基于先進的硅基氮化鎵E-Mode HEMT技術，具有超低的導通電阻，這意味著在電流通過時損耗非常小。 INV030FQ012A的雙向導通能力使其在電路設計中具有靈活性。

這款晶體管適用于多種應用市場，包括高壓側負載開關、過壓保護（OVP）以及多電源系統(tǒng)中的開關電路。由于其小巧的體積和高性能，INV030FQ012A可以替代傳統(tǒng)方案中采用兩顆背靠背連接的NMOS，從而有效降低占板面積，有助于實現(xiàn)系統(tǒng)板的小型化設計。 該產(chǎn)品在過流保護和負載開關等應用場景中表現(xiàn)出色，其超低導通電阻和寬廣的安全工作區(qū)（SOA）特性，使得低損耗和耐短路沖擊的優(yōu)勢更為顯著。 英諾賽科作為制造商，提供該產(chǎn)品的可靠性測試報告，并具備完善的質量體系和故障分析能力。